Traitement d’un film mince par plasma d’hydrogène et polarisation pour en améliorer la qualité cristalline
Résumé
L’invention concerne un procédé de traitement d’un film mince en un matériau conducteur ou semi-conducteur pour en améliorer la qualité cristalline. Il comprend : - la fourniture d’un substrat comportant, sur l’une de ses faces, un film mince dudit matériau ; et - le traitement sous plasma polarisé de l’ensemble formé par le substrat et le film mince à une température et pendant une durée déterminées, de manière à obtenir une réorganisation cristalline sur une profondeur du film mince, le traitement sous plasma polarisé comprenant une polarisation électrique du film mince et une exposition du film ainsi polarisé à un plasma d’hydrogène, le traitement sous plasma polarisé étant réalisé à une température qui est inférieure aux températures de fusion du film mince et du substrat. Figure pour l’abrégé : aucune .