Impact of few electron phenomena on floating-gate memory reliability
G. Molas
(1)
,
Damien Deleruyelle
(2, 3, 4)
,
B. De Salvo
(5)
,
G. Ghibaudo
(6)
,
M. Gely
(5)
,
S. Jacob
(7)
,
D. Lafond
(5)
,
S. Delconibus
1
DACLE-LETI -
Département d'Architectures, Conception et Logiciels Embarqués-LETI
2 INL - ELEC - INL - Electronique
3 INL - DE - INL - Dispositifs Electroniques
4 INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
5 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
6 IMEP - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
7 VEOLIA EAU
2 INL - ELEC - INL - Electronique
3 INL - DE - INL - Dispositifs Electroniques
4 INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
5 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
6 IMEP - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
7 VEOLIA EAU
Damien Deleruyelle
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174122
- IdHAL : damien-dlr
- ORCID : 0000-0003-2394-1359
S. Delconibus
- Fonction : Auteur