Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2021
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https://hal.science/hal-04957170
Soumis le : mercredi 19 février 2025-16:06:19
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:17:21
Citer
Ph. Galy, Lorena Anghel. Deep insights on new embedded resistance and gated diode on thin film silicon BIMOS device with and without external polysilicon resistance for advanced ESD protection in FD-SOI technology. Solid-State Electronics, 2021, 185, pp.108092. ⟨10.1016/j.sse.2021.108092⟩. ⟨hal-04957170⟩
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