Homoepitaxial growth of device-grade GaAs using low-pressure remote plasma CVD - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2025

Homoepitaxial growth of device-grade GaAs using low-pressure remote plasma CVD

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Chimie

Mohamed Haouas  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04814334

Soumis le : lundi 2 décembre 2024-13:45:41

Dernière modification le : mercredi 4 décembre 2024-03:34:25

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Dates et versions

hal-04814334 , version 1 (02-12-2024)

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Citer

Lise Watrin, François Silva, Ludovic Largeau, Nathaniel Findling, Mirella Al Katrib, et al.. Homoepitaxial growth of device-grade GaAs using low-pressure remote plasma CVD. Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 186, pp.109069. ⟨10.1016/j.mssp.2024.109069⟩. ⟨hal-04814334⟩

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