Communication Dans Un Congrès Année : 2024

From nanosphere lithography to localised heteroepitaxy of GaAs on Si

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hal-04790713 , version 1 (19-11-2024)

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  • HAL Id : hal-04790713 , version 1

Citer

L. Dentz, F. Hamouda, G. Hallais, L. Vincent, E. Herth, et al.. From nanosphere lithography to localised heteroepitaxy of GaAs on Si. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology GADEST 2024, Sep 2024, Bad Schandau, Germany. ⟨hal-04790713⟩
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