Amplificateur de puissance en technologie CMOS 28 nm pour radar automobile - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Amplificateur de puissance en technologie CMOS 28 nm pour radar automobile

Résumé

Un amplificateur de puissance à 4 voies fonctionnant à 79 GHz, et implémenté en technologie CMOS 28 nm est présenté dans cet article. L’architecture du PA a été choisie de telle manière à maximiser la PAE. Chaque PA unitaire est composé de 3 étages. Pour chaque étage, un predriver est d’abord implémenté en topologie de cascode neutralisé, suivi de deux étages montés en source commune. Les simulations post-layout permettent d’espérer les performances suivantes : un gain en puissance Gp de 21 dB, une puissance de sortie de saturation Psat de 18.2 dBm, et une puissance à 1 dB de compression de 14 dBm. Les performances de ce PA offrent un bon compromis entre la puissance consommée, la taille de la puce et la puissance de sortie. A la connaissance des auteurs, le PA proposé offre la meilleure PAE comparativement à l’état de l’art des technologies CMOS inférieures à 65 nm dédiées aux applications du radar automobile.

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Dates et versions

hal-04790164 , version 1 (19-11-2024)

Licence

Identifiants

  • HAL Id : hal-04790164 , version 1

Citer

Oumayma Belkhadra, Gilles Montoriol, Emmanuel Pistono, Florent Cilici, Manuel Barragan, et al.. Amplificateur de puissance en technologie CMOS 28 nm pour radar automobile. XXIIIèmes Journées Nationales Microondes (JNM 2024), Jun 2024, Antibes Juan-les-Pins, France. ⟨hal-04790164⟩

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