Estimation de l’énergie d’activation réelle sous champ nul d’un piège dans la zone tampon des transistors HEMT dopés Fe
Résumé
Le taux d'émission de porteurs varie très vite depuis un piège avec l'augmentation de la tension de drain dû aux effets d'auto-échauffement (SH) et du champ électrique imposé appelé effet « Poole-Frenkel » (PF). Ainsi l'analyse conventionnelle de la loi d'Arrhenius sous-estime l'énergie d'activation des pièges. Nous présentons pour la première fois une méthode valable pour toutes les technologies afin d'estimer l'énergie d'activation réelle E0 d'un piège sous champ nul en incluant les effets SH et PF dans l'équation du taux d'émission de porteurs. Un piège situé à un niveau
profond, localisé dans le buffer à E0=EC -0,7 eV est identifié pour le transistor InAlN/GaN à dopage Fe en utilisant simultanément la simulation physique et les caractérisations expérimentales.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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