Emergence of flat bands in the quasicrystal limit of boron nitride twisted bilayers - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Emergence of flat bands in the quasicrystal limit of boron nitride twisted bilayers

Domaines

Physique [physics] Chimie Sciences de l'ingénieur [physics]

Dorine CRETIN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04770890

Soumis le : jeudi 7 novembre 2024-10:30:03

Dernière modification le : samedi 9 novembre 2024-03:27:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04770890 , version 1 (07-11-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04770890 , version 1

Citer

Lorenzo Sponza, V. B. Vu, Elisa Serrano Richaud, Hakim Amara, Sylvain Latil. Emergence of flat bands in the quasicrystal limit of boron nitride twisted bilayers. 27th ETSF Workshop on Electronic Excitations, Jun 2024, Marseille, France. ⟨hal-04770890⟩

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