Local substrate removal enabling next generation fully vertical GaN-on-Si power devices - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Local substrate removal enabling next generation fully vertical GaN-on-Si power devices

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
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Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04762063

Soumis le : jeudi 31 octobre 2024-14:02:51

Dernière modification le : vendredi 8 novembre 2024-03:26:29

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Dates et versions

hal-04762063 , version 1 (31-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04762063 , version 1

Citer

Hamdaoui Y., Michler S., Abid I., Ziouche K., F Medjdoub. Local substrate removal enabling next generation fully vertical GaN-on-Si power devices. Materials for Advanced Metallization, Mar 2024, Milan, Italy. ⟨hal-04762063⟩

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