Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
Fichier principal
Vignette du fichier
Abstract_E-MRS_Fall_2024.pdf (102.94 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04761108

Soumis le : mercredi 30 octobre 2024-22:28:25

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-03:12:00

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-04761108 , version 1 (30-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04761108 , version 1

Citer

Jash Mehta, Yannick Guhel, Julien Bassaler, Yvon Cordier, Philippe Ferrandis, et al.. Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate. European Materials Research Society (EMRS) Fall 2024, Sep 2024, Varsovie, Poland. ⟨hal-04761108⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN NEEL GREYC GREYC-ELECTRONIQUE COMUE-NORMANDIE UNIV-COTEDAZUR ENSICAEN UNIV-LILLE UNICAEN LUSAC ANR CRHEA RENATECH
0 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More