Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2024
Armelle VIDAL : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04745726
Soumis le : lundi 21 octobre 2024-10:01:43
Dernière modification le : mardi 22 octobre 2024-03:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04745726 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2024.127910
Citer
Azeddine Chayab Draa, Faiza Mokhtari, Idir Lasloudji, Samir Zermout, Kheirreddine Lebbou. Internal radiation effect on semiconductor β-Ga2O3 crystals grown by the VB Method and anisotropic thermal stress. Journal of Crystal Growth, 2024, 648, pp.127910. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2024.127910⟩. ⟨hal-04745726⟩
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