Impact of gate metallization for Total Ionizing Dose Testing of MOS capacitors
V. Girones
(1)
,
J. Boch
(1)
,
D. Lambert
(2)
,
F. Saigné
(3)
,
T. Maraine
(1)
,
F. Wrobel
(1)
,
S. Girard
(4, 5)
,
A. Carapelle
(6)
,
A. Chapon
(7)
,
R. Garcia
(8, 9)
1
UM -
Université de Montpellier
2 CEA/DAM - CEA/DAM [Arpajon]
3 CEM2 - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
4 LabHC - Laboratoire Hubert Curien
5 IUF - Institut universitaire de France
6 CSL Belgique
7 ATRON Metrology
8 IPGP - Institut de Physique du Globe de Paris
9 CERN [Genève]
2 CEA/DAM - CEA/DAM [Arpajon]
3 CEM2 - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
4 LabHC - Laboratoire Hubert Curien
5 IUF - Institut universitaire de France
6 CSL Belgique
7 ATRON Metrology
8 IPGP - Institut de Physique du Globe de Paris
9 CERN [Genève]