Electro-absorption modulation of a III–V-on-silicon DFB laser co-integrated with SOA boosters at 32 Gbps NRZ - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Electro-absorption modulation of a III–V-on-silicon DFB laser co-integrated with SOA boosters at 32 Gbps NRZ

Joan Manel Ramírez
Amin Souleiman Dabar
  • Fonction : Auteur
Claire Besancon
  • Fonction : Auteur
Alexandre Shen
  • Fonction : Auteur
Delphine Neel
  • Fonction : Auteur
Nicolas Vaissiere
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1093053
Stephane Malhouitre
  • Fonction : Auteur
Jean Decobert
  • Fonction : Auteur
Karim Hassan
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1045264
David Bitauld
Kamel Merghem
Institut Polytechnique de Paris
Département Electronique et Physique
Information, Signal et Technologies des Communications

Domaines

Physique [physics]

Kamel Merghem  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04675628

Soumis le : jeudi 22 août 2024-15:58:31

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-15:51:59

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04675628 , version 1 (22-08-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04675628 , version 1

Citer

Joan Manel Ramírez, Amin Souleiman Dabar, Claire Besancon, Alexandre Shen, Delphine Neel, et al.. Electro-absorption modulation of a III–V-on-silicon DFB laser co-integrated with SOA boosters at 32 Gbps NRZ. 2024 European Conference on Optical Communication (ECOC), Sep 2024, Frankfurt (DE), Germany. ⟨hal-04675628⟩

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