Anisotropic porous germanium nanostructures achieved with fast bipolar electrochemical etching and chemical etching - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2023
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04660481 , version 1 (23-07-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04660481 , version 1

Citer

Arthur Dupuy, Abderaouf Boucherif, Richard Arès. Anisotropic porous germanium nanostructures achieved with fast bipolar electrochemical etching and chemical etching. France, Patent n° : US 2023/0253571 A1. 2023. ⟨hal-04660481⟩
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