In-plane InAs and InSb nanowires grown by selective area MBE - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

In-plane InAs and InSb nanowires grown by selective area MBE

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04660092 , version 1 (23-07-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04660092 , version 1

Citer

Clément Barbot, Wijden Khelifi, Christophe Coinon, Pierre Capiod, Yves Deblock, et al.. In-plane InAs and InSb nanowires grown by selective area MBE. Journées Nationales Nanofils Semiconducteurs (J2N) 2024, C2N, Jun 2024, Palaiseau, France. ⟨hal-04660092⟩
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