Filtre Passe-Bande Intégrant un Atténuateur à Haute Dynamique sur Substrat Semiconducteur
Résumé
Dans cet article, un filtre passe-bande en bande X intégrant une fonction d’atténuation est présenté. La
forte réjection de l’atténuateur à commande analogique est obtenue grâce à des diodes intégrées dans un substrat silicium. Ces diodes, i.e. jonctions N+PP+, intégrées réalisent les éléments résistifs accordables. Un premier filtre à 6 diodes intégrées présente des pertes d’insertion de 2,8 dB et une dynamique d’atténuation de 42 dB. Ce filtre permet un contrôle précis sur la puissance transmise par le dispositif dans un contexte de forte intégration. Une variante de ce filtre n’utilisant que 2 diodes est présentée afin de proposer des pistes d’adaptation de la topologie aux besoins spécifiques du concepteur. Une amélioration de la précision de simulation est proposée grâce à des rétro-simulations couplant physique des semi-conducteurs et électromagnétisme.
Domaines
Electronique
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