Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Onduleur à JFET sans diode de roue libre externe

Résumé

Les besoins grandissant de l'électronique de puissance haute température ont favorisé le développement de technologies avancées. La disponibilité commerciale d'interrupteurs JFET-SiC permet de construire des convertisseurs sans diodes de roue libre externe capables de fonctionner à 300°C. Les spécificités des JFET, structure interne, impliquent l'étude de ses différents modes de conduction (direct et inverse) ainsi que l'influence de la température sur les caractéristiques électriques. La mise en conduction des diodes internes du JFET en phase de roue libre de l'onduleur implique la conception d'un étage de commande spécifique, différent des solutions classiques pour les MOSFET ou IGBT en silicium. La problématique de la commande est abordée en développant un driver d'étude comportant plusieurs fonctions spécifiques au pilotage des JFET: tension négative de blocage ajustable, impédance de grille à l'état passant variable. Ce travail illustre la possibilité de fabriquer un onduleur SiC à JFET sans diode de roue libre, fonctionnant à 300°C, et met en avant la nécessité de développement de nouvelles structures de driver.

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  • HAL Id : hal-04618123 , version 1

Citer

Dominique Bergogne, Pierre Lefranc, D. Tournier, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, et al.. Onduleur à JFET sans diode de roue libre externe. 11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France. ⟨hal-04618123⟩
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