Direct observation of infrared electroluminescence of high mobility graphene field-effect transistors - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Direct observation of infrared electroluminescence of high mobility graphene field-effect transistors

Résumé

In this presentation we will discuss our efforts based on high sensitivity infrared microscopy and spectroscopy to unravel the origin of super-incandescent emission of high-mobility graphene transistors.

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]
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Laurine WIBAUX  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : lundi 17 juin 2024-14:00:12

Dernière modification le : vendredi 26 juillet 2024-15:48:24

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Dates et versions

hal-04614292 , version 1 (17-06-2024)

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Citer

Sylvio Rossetti, Aurélien Schmitt, Loubnan Abou-Hamdan, Rémi Bretel, Patrick Bouchon, et al.. Direct observation of infrared electroluminescence of high mobility graphene field-effect transistors. EOSAM 2023, Sep 2023, Dijon, France. pp.04003, ⟨10.1051/epjconf/202328704003⟩. ⟨hal-04614292⟩

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