Protection périphérique d’une diode bipolaire SiC-4H. Simulation électrique de JTE à dopage variable
Résumé
L’objectif de ce papier est d’étudier la protection périphérique de diode bipolaire en SiC avec pour cible une tenue en tension de 7.5 kV. Cette étude pourra être transposée à la protection de tous composants possédant une jonction PiN. L’outil de simulation permet d’optimiser les caractéristiques de la protection. La première idée consiste à utiliser une simple poche latérale, mais dans ce cas, la tenue en tension est très sensible à la dose. C’est la raison pour laquelle, une protection originale a été étudiée avec trois poches consécutives, correspondant à une discrétisation de la poche à dopage variable. Différentes plages de variation du dopage des poches permettent d’atteindre 99% de la tenue en tension maximale. Finalement, pour tenir compte de l’environnement proche du semi-conducteur, des charges fixes positives et négatives à l’interface SC-Oxyde et une couche d’air ont été rajoutées. L’influence de ces charges est montrée sous forme qualitative et quantitative.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
|---|---|
| Licence |