Next Generation SiGe HBTs for Energy Efficient Microwave Power Amplification (Invited) - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Next Generation SiGe HBTs for Energy Efficient Microwave Power Amplification (Invited)

Résumé

The linearity and efficiency of two distinct SiGe HBT devices, manufactured using different process technologies (B55 & B55X intermediate) by STMicroelectronics, are examined with a focus on energy-efficient applications under large-signal conditions.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://hal.science/hal-04603010

Soumis le : jeudi 6 juin 2024-10:24:13

Dernière modification le : samedi 6 juillet 2024-03:25:10

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Dates et versions

hal-04603010 , version 1 (06-06-2024)

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Citer

Soumya Ranjan Panda, Philippine Billy, Alexis Gauthier, Nicolas Guitard, Pascal Chevalier, et al.. Next Generation SiGe HBTs for Energy Efficient Microwave Power Amplification (Invited). 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), Mar 2024, Bangalore, India. pp.1-3, ⟨10.1109/EDTM58488.2024.10511770⟩. ⟨hal-04603010⟩

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