Strained germanium lasing in the mid-infrared - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Strained germanium lasing in the mid-infrared

Résumé

– Mid-Infrared lasing between 3.20 and 3.66 μm is achieved in undoped germanium microbridges strained up to 5.9 % and up to a temperature of 100 K under optical pulsed excitation of 100 ps, exploiting a nonequilibrium carrier dynamic.
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04597804 , version 1 (03-06-2024)

Identifiants

Citer

F. Pilon, A. Lyasota, Y. Niquet, V. Reboud, V. Calvo, et al.. Strained germanium lasing in the mid-infrared. GFP 2019 - IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics, Aug 2019, Singapore, France. pp.1-2, ⟨10.1109/GROUP4.2019.8925921⟩. ⟨hal-04597804⟩
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