Interface defect formation for atomic layer deposition of SnO2 on metal halide perovskites - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nano Energy Année : 2024

Interface defect formation for atomic layer deposition of SnO2 on metal halide perovskites

Nitin Mallik
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Javid Hajhemati
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Mathieu Frégnaux
  • Fonction : Auteur
Institut Lavoisier de Versailles
Damien Coutancier
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Ashish Toby
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Shan-Ting Zhang
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Claudia Hartmann
  • Fonction : Auteur
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie
Elif Hüsam
  • Fonction : Auteur
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie
Ahmed Saleh
  • Fonction : Auteur
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie
Thomas Vincent
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Olivier Fournier
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Regan Wilks
  • Fonction : Auteur
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie
Damien Aureau
  • Fonction : Auteur
Institut Lavoisier de Versailles
Roberto Félix
  • Fonction : Auteur
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie
Nathanaelle Schneider
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Marcus Bär
  • Fonction : Auteur
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie
Philip Schulz
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d'Île-de-France
Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR)

Domaines

Physique [physics] Chimie
Fichier principal
Vignette du fichier
HAXPES SnO2 Manuscript_submit.pdf (1.2 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence
Paternité

Philip Schulz  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04597227

Soumis le : mardi 19 novembre 2024-10:34:51

Dernière modification le : lundi 2 décembre 2024-09:50:02

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-04597227 , version 1 (19-11-2024)

Licence

Paternité

Identifiants

Citer

Nitin Mallik, Javid Hajhemati, Mathieu Frégnaux, Damien Coutancier, Ashish Toby, et al.. Interface defect formation for atomic layer deposition of SnO2 on metal halide perovskites. Nano Energy, 2024, 126, pp.109582. ⟨10.1016/j.nanoen.2024.109582⟩. ⟨hal-04597227⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

X ENSCP CNRS UVSQ INC-CNRS ILV PSL UNIV-PARIS-SACLAY EDF IP_PARIS IPVF ANR GS-CHIMIE
40 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More