From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue (Data Paper) IEEE Transactions on Nanotechnology Année : 2011

From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices

Tiziana Pro
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Venera Aiello
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Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04569713 , version 1 (06-05-2024)

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Citer

Tiziana Pro, Julien Buckley, Régis Barattin, Adrian Calborean, Venera Aiello, et al.. From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2011, 10 (2), pp.275-283. ⟨10.1109/TNANO.2009.2038612⟩. ⟨hal-04569713⟩
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