Exploring the Effectiveness of Ni/ITO Ohmic Contact on p-Type GaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04506122 , version 1 (15-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04506122 , version 1

Citer

Zihao Lyu, Taoufik Slimani Tlemcani, Geoffroy Rouvre, Kevin Nadaud, Jérôme Billoué, et al.. Exploring the Effectiveness of Ni/ITO Ohmic Contact on p-Type GaN. WOCSDICE EXMATEC, Palermo, Italy, May 2023, Palermo, Italy. ⟨hal-04506122⟩
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