Guest Editorial: Special Issue on Wide and Ultrawide Band Gap Semiconductor Devices for RF and Power Applications - Archive ouverte HAL
N°Spécial De Revue/Special Issue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2024

Guest Editorial: Special Issue on Wide and Ultrawide Band Gap Semiconductor Devices for RF and Power Applications

Matteo Meneghini
Università degli Studi di Padova = University of Padua
Geok Ing Ng
  • Fonction : Auteur
Farid Medjdoub
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
Matteo Buffolo
  • Fonction : Auteur
Università degli Studi di Padova = University of Padua
Shireen Warnock
  • Fonction : Auteur
Digbijoy Nath
  • Fonction : Auteur
Jun Suda
  • Fonction : Auteur
Junxia Shi
  • Fonction : Auteur
Shyh-Chiang Shen
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04493325

Soumis le : jeudi 7 mars 2024-09:39:23

Dernière modification le : jeudi 29 août 2024-14:01:03

Consulter le texte intégral

Dates et versions

hal-04493325 , version 1 (07-03-2024)

Identifiants

Citer

Matteo Meneghini, Geok Ing Ng, Farid Medjdoub, Matteo Buffolo, Shireen Warnock, et al.. Guest Editorial: Special Issue on Wide and Ultrawide Band Gap Semiconductor Devices for RF and Power Applications. IEEE Transactions on Electron Devices, 71 (3), pp.1340-1343, 2024, ⟨10.1109/TED.2024.3359934⟩. ⟨hal-04493325⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE RENATECH
15 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More