Charge Collection Efficiency of Single GaN Core–Shell Wires Assessed by High-Precision Ion-Beam-Induced Charge Measurements - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ACS Applied Electronic Materials Année : 2024

Charge Collection Efficiency of Single GaN Core–Shell Wires Assessed by High-Precision Ion-Beam-Induced Charge Measurements

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Eva Monroy  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04476034

Soumis le : samedi 24 février 2024-10:10:47

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:29:24

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Dates et versions

hal-04476034 , version 1 (24-02-2024)

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Citer

Dirkjan Verheij, Milan Vićentijević, Milko Jakšić, Marco Peres, Luís Cerqueira Alves, et al.. Charge Collection Efficiency of Single GaN Core–Shell Wires Assessed by High-Precision Ion-Beam-Induced Charge Measurements. ACS Applied Electronic Materials, 2024, ⟨10.1021/acsaelm.3c01584⟩. ⟨hal-04476034⟩

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