Selective Area Growth of in-plane In0.5Ga0.5P nanowires on GaAs (111)B substrate by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Selective Area Growth of in-plane In0.5Ga0.5P nanowires on GaAs (111)B substrate by molecular beam epitaxy

Domaines

Physique [physics]

Ludovic Desplanque  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04475475

Soumis le : vendredi 23 février 2024-16:12:12

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04475475 , version 1 (23-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04475475 , version 1

Citer

Clément Barbot, Christophe Coinon, X. Wallart, B. Grandidier, L. Desplanque. Selective Area Growth of in-plane In0.5Ga0.5P nanowires on GaAs (111)B substrate by molecular beam epitaxy. 21st European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, EuroMBE 2023, Apr 2023, Madrid, Spain. ⟨hal-04475475⟩

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