Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04436421

Soumis le : samedi 3 février 2024-15:16:36

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

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Dates et versions

hal-04436421 , version 1 (03-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04436421 , version 1

Citer

Kathia Harrouche, Lyes Ben-Hammou, François Grandpierron, Ajay Shanbhag, Etienne Okada, et al.. Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov 2023, Nagoya, Japan. ⟨hal-04436421⟩

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