Article Dans Une Revue
Organic Electronics
Année : 2017
Bilel HAFSI : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04422357
Soumis le : dimanche 28 janvier 2024-18:21:32
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03
Citer
B. Hafsi, A. Boubaker, David Guérin, Stéphane Lenfant, A. Kalboussi, et al.. N-type polymeric organic flash memory device: Effect of reduced graphene oxide floating gate. Organic Electronics, 2017, 45, pp.81-88. ⟨10.1016/j.orgel.2017.02.035⟩. ⟨hal-04422357⟩
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