Communication Dans Un Congrès Année : 2019

XPS in-depth characterization of annealed ultra-thin InxAl1-xN layers on GaN for HEMT applications

Domaines

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04404063 , version 1 (18-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04404063 , version 1

Citer

Yoan Bourlier, Muriel Bouttemy, Mathieu Frégnaux, Olivier Patard, Piero Gamarra, et al.. XPS in-depth characterization of annealed ultra-thin InxAl1-xN layers on GaN for HEMT applications. ECASIA 18th, Sep 2019, Dresde, Germany. ⟨hal-04404063⟩
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