Simulation study of short-channel effects and quantum confinement in Double-Gate FinFET devices with high-mobility materials - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Simulation study of short-channel effects and quantum confinement in Double-Gate FinFET devices with high-mobility materials

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Daniela Munteanu  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04393626

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Identifiants

  • HAL Id : hal-04393626 , version 1

Citer

Mathieu Moreau, Daniela Munteanu, Jean-Luc Autran. Simulation study of short-channel effects and quantum confinement in Double-Gate FinFET devices with high-mobility materials. European-Material Research Society (E-MRS) 2010 Spring Meeting, Jun 2010, Strasbourg, France. ⟨hal-04393626⟩

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