Low-resistance magnetic tunnel junctions with an Mg O − Al 2 O 3 composite tunnel barrier: Asymmetric transport characteristics and free electron modeling of a self-limited oxidation bilayer - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2006

Low-resistance magnetic tunnel junctions with an Mg O − Al 2 O 3 composite tunnel barrier: Asymmetric transport characteristics and free electron modeling of a self-limited oxidation bilayer

C. de Buttet
  • Fonction : Auteur
Michel Hehn
F. Montaigne
  • Fonction : Auteur
C. Tiusan
G. Malinowski
  • Fonction : Auteur
A. Schuhl
  • Fonction : Auteur
E. Snoeck
  • Fonction : Auteur
S. Zoll
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04370097 , version 1 (02-01-2024)

Identifiants

Citer

C. de Buttet, Michel Hehn, F. Montaigne, C. Tiusan, G. Malinowski, et al.. Low-resistance magnetic tunnel junctions with an Mg O − Al 2 O 3 composite tunnel barrier: Asymmetric transport characteristics and free electron modeling of a self-limited oxidation bilayer. Physical Review B, 2006, 73 (10), pp.104439. ⟨10.1103/PhysRevB.73.104439⟩. ⟨hal-04370097⟩
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