Impact of nanoscale faceting on the electrical properties of in-plane InGaAs/Ga(As)Sb tunnel junctions grown by selective area MBE - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Impact of nanoscale faceting on the electrical properties of in-plane InGaAs/Ga(As)Sb tunnel junctions grown by selective area MBE

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Ludovic Desplanque  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04332199

Soumis le : vendredi 8 décembre 2023-17:10:59

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

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Dates et versions

hal-04332199 , version 1 (08-12-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04332199 , version 1

Citer

Alexandre Bucamp, Christophe Coinon, Sylvie Lepilliet, David Troadec, Gilles Patriarche, et al.. Impact of nanoscale faceting on the electrical properties of in-plane InGaAs/Ga(As)Sb tunnel junctions grown by selective area MBE. 21 st European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2023), Apr 2023, Madrid, Spain, Apr 2023, Madrid, Spain. ⟨hal-04332199⟩

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