A systematical investigation of layer growth rate, impurity level and morphology evolution in TiO2 thin films grown by ALD between 100 and 300 °C
Bingbing Xia
(1)
,
Jean-Jacques Ganem
(1, 2, 3, 4)
,
Emrick Briand
(2, 3, 1, 5)
,
Sébastien Steydli
(3, 4, 2, 1)
,
Aleksandra Wanda Baron-Wiecheć
,
Ian Vickridge
(4, 1, 3, 2, 5)
Bingbing Xia
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1319052
- ORCID : 0000-0002-9880-9996
Aleksandra Wanda Baron-Wiecheć
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1319053
- ORCID : 0000-0001-9458-6679
Ian Vickridge
- Fonction : Auteur
- PersonId : 13477
- IdHAL : ian-vickridge
- ORCID : 0000-0002-1817-3378
- IdRef : 164664602