Band Alignment of n - and p - InP at Electrolyte and Ultra High Vacuum Intrefaces: Correlation between the Open Circuit Potential under Illumination and XPS Photopeak Energy Separations - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2019

Band Alignment of n - and p - InP at Electrolyte and Ultra High Vacuum Intrefaces: Correlation between the Open Circuit Potential under Illumination and XPS Photopeak Energy Separations

Patie Cendra Rakotoarimanana
  • Fonction : Auteur
Institut Lavoisier de Versailles
Mathieu Frégnaux
Institut Lavoisier de Versailles
CV
Nathalie Simon
  • Fonction : Auteur
Institut Lavoisier de Versailles
Arnaud Etcheberry
Institut Lavoisier de Versailles
Anne-Marie Gonçalves

Domaines

Chimie

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https://hal.science/hal-04312473

Soumis le : mardi 28 novembre 2023-16:11:19

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Citer

Patie Cendra Rakotoarimanana, Mathieu Frégnaux, Nathalie Simon, Arnaud Etcheberry, Anne-Marie Gonçalves. Band Alignment of n - and p - InP at Electrolyte and Ultra High Vacuum Intrefaces: Correlation between the Open Circuit Potential under Illumination and XPS Photopeak Energy Separations. ECS Transactions, 2019, 89 (4), pp.1-8. ⟨10.1149/08904.0001ecst⟩. ⟨hal-04312473⟩

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