Microfabrication of a detachable Ge epitaxial layer grown on porous germanium for PV application - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Microfabrication of a detachable Ge epitaxial layer grown on porous germanium for PV application

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04303582 , version 1 (23-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04303582 , version 1

Citer

Valentin Daniel, Jeremie Chretien, Gwenaelle Hamon, Mathieu De Lafontaine, Nicolas Paupy, et al.. Microfabrication of a detachable Ge epitaxial layer grown on porous germanium for PV application. 49th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (IEEE-PVSC 49), Jun 2022, Philadelphia (PA), United States. ⟨hal-04303582⟩
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