Micro-fabrication of a detachable Ge epitaxial layer grown on porous germanium for PV applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Micro-fabrication of a detachable Ge epitaxial layer grown on porous germanium for PV applications

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04303495 , version 1 (23-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04303495 , version 1

Citer

Valentin Daniel, Jeremie Chretien, Gwenaelle Hamon, Mathieu De Lafontaine, Nicolas Paupy, et al.. Micro-fabrication of a detachable Ge epitaxial layer grown on porous germanium for PV applications. TOP-SET Summer school, 2022, Ottawa, Canada. ⟨hal-04303495⟩
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