CVD-growth of high-quality graphene over Ge(100) by annihilation of thermal pits - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

CVD-growth of high-quality graphene over Ge(100) by annihilation of thermal pits

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-04303171

Soumis le : jeudi 23 novembre 2023-15:56:56

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:58:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04303171 , version 1 (23-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04303171 , version 1

Citer

T. Mamoudou Diallo, M.R. Aziziyan, R. Arvinte, R. Arès, S. Fafard, et al.. CVD-growth of high-quality graphene over Ge(100) by annihilation of thermal pits. Advanced Epitaxy for Freestanding Membranes and 2D Materials (AEFM), 2022, Boston (MA), United States. ⟨hal-04303171⟩

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