Thermal strain relaxation of GaAs overgrown on nanovoid based Ge/Si substrate - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2023

Thermal strain relaxation of GaAs overgrown on nanovoid based Ge/Si substrate

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-04298925

Soumis le : mardi 21 novembre 2023-21:43:43

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:03:00

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Dates et versions

hal-04298925 , version 1 (21-11-2023)

Identifiants

Citer

Jonathan Henriques, Bouraoui Ilahi, Alexandre Heintz, Denis Morris, Richard Arès, et al.. Thermal strain relaxation of GaAs overgrown on nanovoid based Ge/Si substrate. Journal of Crystal Growth, 2023, 624, pp.127433. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2023.127433⟩. ⟨hal-04298925⟩

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