La maturité des Composants Semi-conducteurs Grand-Gap permet aujourd'hui de disposer de commutateurs de puissance fonctionnant sur des temps de transition extrêmement faibles, tout en fournissant des tenues en hautes tensions et délivrant de fortes puissance (kW). Cependant, ces modules utilisés pour la conversion d'énergie à fort rendement présentent de très fortes contraintes électriques et électromagnétiques, qui conduisent à l'apparition de modes de défaillances beaucoup plus sévères que les technologies précédentes[1]. Afin d'analyser et de proposer des améliorations de la fiabilité électromagnétique de ces structures, nous présentons deux exemples d'intégration in-situ de capteurs de champ électromagnétique insérés au plus proche des semi-conducteurs Grand-Gap[2][3]. Ces travaux permettent de montrer la faisabilité de cette intégration et les bonnes performances obtenues quant à la surveillance fine des rayonnements EM issus des fortes transitions de signaux électriques lors de l'activité nominale.