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Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2023

Silicon diffusion in AlN

V Bonito Oliva
S Hagedorn
H Bracht
K Irmscher
C Hartmann
M Albrecht

Résumé

In this study, we investigate the diffusion of Si donors in AlN. Amorphous Si 1−x N x sputtered on the surface of bulk AlN with low dislocation density is used as a Si source. The diffusion experiments are conducted through isochronal and isothermal annealing in a protective N 2 atmosphere at temperatures between 1500°C and 1700°C. The Si depth profiles measured by secondary ion mass
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04285030 , version 1 (14-11-2023)

Identifiants

Citer

V Bonito Oliva, D Mangelinck, S Hagedorn, H Bracht, K Irmscher, et al.. Silicon diffusion in AlN. Journal of Applied Physics, 2023, 134, ⟨10.1063/5.0159641⟩. ⟨hal-04285030⟩
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