Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV substrates: Formation and burying of antiphase domains - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV substrates: Formation and burying of antiphase domains

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https://hal.science/hal-04282768

Soumis le : lundi 13 novembre 2023-15:45:55

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-16:14:04

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Dates et versions

hal-04282768 , version 1 (13-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04282768 , version 1

Citer

A Gilbert, J.-B Rodriguez, M Rio Calvo, M Ramonda, L Cerutti, et al.. Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV substrates: Formation and burying of antiphase domains. The International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2022), Sep 2022, Sheffield, United Kingdom. ⟨hal-04282768⟩

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