Design, Fabrication and Characterization of 10 kV 4H-SiC BJT for the Phototransistor Target - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Romanian Journal of Information Science and Technology Année : 2023

Design, Fabrication and Characterization of 10 kV 4H-SiC BJT for the Phototransistor Target

Ali Ammar
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1305258
Marcin Zielinski
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860779
Hervé Morel

Résumé

For medium voltage, the SiC BJT is a convenient solution to reduce the on-losses and it could have the advantage to be optical controlled, to ease the serial connection of BJT. The design of a 10 kV, 10 A SiC BJT is described. The different fabrication st
Fichier principal
Vignette du fichier
final_romjist.pdf (3.54 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04276812 , version 1 (09-11-2023)

Identifiants

Citer

Ali Ammar, Mihai Lazar, Bertrand Vergne, Sigo Scharnholz, Luong Viêt Phung, et al.. Design, Fabrication and Characterization of 10 kV 4H-SiC BJT for the Phototransistor Target. Romanian Journal of Information Science and Technology, 2023, 26 (2), pp.193-204. ⟨10.59277/ROMJIST.2023.2.06⟩. ⟨hal-04276812⟩
62 Consultations
46 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More