Efficient scaling of MOSFETS in the 50 nm regime using a recessed channel - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1993

Efficient scaling of MOSFETS in the 50 nm regime using a recessed channel

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Sciences de l'ingénieur [physics]

Emmanuel Dubois  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04248357

Soumis le : mercredi 18 octobre 2023-16:10:03

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

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Dates et versions

hal-04248357 , version 1 (18-10-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04248357 , version 1

Citer

Emmanuel Dubois, Bricout Paul-Henri. Efficient scaling of MOSFETS in the 50 nm regime using a recessed channel. International Symposium Semiconductor Device Research (ISDRS), Dec 1993, Charlottesville (Virginia), United States. ⟨hal-04248357⟩

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