Ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 films with improved endurance obtained through low temperature epitaxial growth on seed layers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanoscale Année : 2023

Ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 films with improved endurance obtained through low temperature epitaxial growth on seed layers

Tingfeng Song
  • Fonction : Auteur
Ignasi Fina
Florencio Sánchez

Résumé

A seed layer with a thickness of about 2 nm allows reduction of the threshold temperature for epitaxy of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 films at least by 200 °C. Films deposited at low temperatures on seed layers show reduced ferroelectric fatigue and improved endurance.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04243275 , version 1 (16-10-2023)

Identifiants

Citer

Tingfeng Song, Romain Bachelet, Guillaume Saint-Girons, Ignasi Fina, Florencio Sánchez. Ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 films with improved endurance obtained through low temperature epitaxial growth on seed layers. Nanoscale, 2023, 15 (11), pp.5293-5299. ⟨10.1039/D2NR05935E⟩. ⟨hal-04243275⟩
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