Native defects association enabled room-temperature p-type conductivity in β-Ga2O3 - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Alloys and Compounds Année : 2023

Native defects association enabled room-temperature p-type conductivity in β-Ga2O3

Zeyu Chi
Groupe d'Etude de la Matière Condensée
Corinne Sartel
  • Fonction : Auteur
Groupe d'Etude de la Matière Condensée
Yunlin Zheng
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
Sushrut Modak
  • Fonction : Auteur
University of Central Florida [Orlando]
Leonid Chernyak
  • Fonction : Auteur
University of Central Florida [Orlando]
Christian Schaefer
  • Fonction : Auteur
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology = Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia
Jessica Padilla
  • Fonction : Auteur
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology = Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia
Jose Santiso
  • Fonction : Auteur
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology = Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia
Arie Ruzin
  • Fonction : Auteur
Department of Physical Electronics, School of Electrical Engineering, Tel Aviv
Anne-Marie Gonçalves
Institut Lavoisier de Versailles
Jurgen von Bardeleben
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
Gérard Guillot
  • Fonction : Auteur
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
Institut des Nanotechnologies de Lyon
Yves Dumont
  • Fonction : Auteur
Groupe d'Etude de la Matière Condensée
Amador Pérez-Tomás
  • Fonction : Auteur
Catalan Institute of Nanotechnology
Ekaterine Chikoidze
Groupe d'Etude de la Matière Condensée

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Soumis le : mardi 10 octobre 2023-23:31:56

Dernière modification le : vendredi 20 décembre 2024-03:46:53

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hal-04236493 , version 1 (10-10-2023)

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Citer

Zeyu Chi, Corinne Sartel, Yunlin Zheng, Sushrut Modak, Leonid Chernyak, et al.. Native defects association enabled room-temperature p-type conductivity in β-Ga2O3. Journal of Alloys and Compounds, 2023, pp.172454. ⟨10.1016/j.jallcom.2023.172454⟩. ⟨hal-04236493⟩

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