Concept and technology for full monolithic MOSFET and JBS vertical integration in multi-terminal 4H-SiC power converters - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Concept and technology for full monolithic MOSFET and JBS vertical integration in multi-terminal 4H-SiC power converters

Ralph Makhoul
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1145580
  • IdRef : 263161315
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
Nour Beydoun
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1266722
Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies
Abdelhakim Bourennane
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
Institut Universitaire de Technologie - Paul Sabatier
Luong Viêt Phung
Ampère, Département Energie Electrique
Frédéric Richardeau
Convertisseurs Statiques
CV
Mihai Lazar
Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies
CV
Philippe Godignon
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1266723
Centro Nacional de Microelectronica [Spain]
Dominique Planson
Ampère, Département Energie Electrique
CV
Hervé Morel
Ampère, Département Energie Electrique
CV
David Bourrier
Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique

Domaines

Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Licence
Paternité

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Soumis le : jeudi 28 septembre 2023-16:10:14

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-03:24:15

Archivage à long terme le : vendredi 29 décembre 2023-19:29:23

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Dates et versions

hal-04221605 , version 1 (28-09-2023)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-04221605 , version 1

Citer

Ralph Makhoul, Nour Beydoun, Abdelhakim Bourennane, Luong Viêt Phung, Frédéric Richardeau, et al.. Concept and technology for full monolithic MOSFET and JBS vertical integration in multi-terminal 4H-SiC power converters. 20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) - ICSCRM 2023, Naples University - Federico II, Sep 2023, Sorrento, Italy. ⟨hal-04221605⟩

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