Autre Publication Scientifique
Année : 2023
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https://hal.science/hal-04218271
Soumis le : mardi 26 septembre 2023-14:45:44
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04218271 , version 1
Citer
Farid Medjdoub. [Seminar] Status and progress of GaN-based high electron mobility transistors for millimetre-wave power applications. Workshop on Electrical and thermal characterization of HEMT, Jointly Organized by IEEE EDS Delhi Chapter (New Delhi, India), september 26, 2023. ⟨hal-04218271⟩
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