Caractérisation statique d’un Si MOSFET de puissance à température cryogénique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Caractérisation statique d’un Si MOSFET de puissance à température cryogénique

Résumé

Pour réduire les émissions de CO2 l’industrie aéronautique s’est tournée vers des applications supraconductrices utilisant une installation cryogénique et l’intégration de convertisseurs de puissance à température cryogénique s’est posée pour réduire les pertes. Jusqu’à présent, la majorité des tests effectués sur des interrupteurs ont été réalisés soit à l’azote liquide soit des températures supérieures à 30 K. Dans le but de déterminer la température optimale d’utilisation d’un Si-MOSFET, les mesures s’effectueront de 300 K à 10 K. Etant donné que la majeure partie des pertes d’un MOSFET provient de sa résistance RDSON, nous allons caractériser cette dernière. Cette caractérisation montre alors une réduction de la résistance jusqu’à 80 K, puis une remontée de la résistance liée au gel des porteurs de charges en dessous de 80K. Finalement, la résistance semble devenir constante à très basse température, en dessous de 10 K. Deux raisons peuvent expliquer ce comportement : un changement de l’état ohmique vers l’état linéaire ou une résistance liée au pincement du canal N.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04176106 , version 1 (02-08-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04176106 , version 1

Citer

Yanis Laïb, Kévin Berger, Stéphane Raël, Jean Lévêque. Caractérisation statique d’un Si MOSFET de puissance à température cryogénique. Symposium de Génie Electrique (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. p. 50, id. 452210, SO4-C : 5. ⟨hal-04176106⟩
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