Characterization of silicon vacancies and divacancies in hexagonal silicon carbide formed by nitrogen and aluminum ion implantation - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2023

Characterization of silicon vacancies and divacancies in hexagonal silicon carbide formed by nitrogen and aluminum ion implantation

Caractérisation de lacunes de silicium et bilacunes formées par implantation d'azote et aluminium au sein de carbure de silicium hexagonal

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://hal.science/hal-04171800

Soumis le : mercredi 26 juillet 2023-17:42:54

Dernière modification le : vendredi 12 janvier 2024-16:48:58

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Dates et versions

hal-04171800 , version 1 (26-07-2023)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-04171800 , version 1

Citer

Enora Marion Vuillermet, Nicolas Bercu, Florence Etienne, Mihai Lazar, Louis Giraudet. Characterization of silicon vacancies and divacancies in hexagonal silicon carbide formed by nitrogen and aluminum ion implantation. C'Nano 2023: The Nanoscience meeting, Mar 2023, Poitiers, France. . ⟨hal-04171800⟩

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